上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者 覃秘）“第三代半導(dǎo)體技術(shù)水平持續(xù)提升，市場(chǎng)保持高速增長(zhǎng)，行業(yè)投融資與擴(kuò)產(chǎn)熱情不減，2023年全年僅SiC相關(guān)投資就超過(guò)千億元。”4月9日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在接受上證報(bào)記者采訪時(shí)表示。
當(dāng)天，在2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，吳玲代表第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告》（下簡(jiǎn)稱“報(bào)告”）。
報(bào)告顯示，2023年，第三代半導(dǎo)體功率電子器件模塊市場(chǎng)達(dá)到153.2億元，同比增長(zhǎng)45%；射頻電子器件模塊市場(chǎng)約102.9億元，同比增長(zhǎng)16.2%；LED器件市場(chǎng)782.2億元，同比微增0.5%。
新能源汽車為市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在功率電子器件模塊市場(chǎng)，來(lái)自新能源汽車的業(yè)務(wù)占比超過(guò)70%。
面對(duì)巨大的市場(chǎng)需求，車企紛紛布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。如比亞迪借助子公司比亞迪半導(dǎo)體重金投入，蔚來(lái)建設(shè)了SiC功率模塊工藝試驗(yàn)線；三大汽車央企均選擇合資模式，如上汽集團(tuán)與英飛凌合資成立上汽英飛凌，上汽集團(tuán)還與上海微技術(shù)工業(yè)研究院成立上海汽車芯片工廠中心；此外，一批汽車企業(yè)選擇戰(zhàn)略投資功率半導(dǎo)體企業(yè)，如小鵬投資天岳先進(jìn)和瞻芯電子。
報(bào)告還顯示，2023年，第三代半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域融資項(xiàng)目78起，披露金額約440億元，相較于2022年的披露金額63.2億元大幅增長(zhǎng)。行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)多起大額融資，如積塔半導(dǎo)體融資135億元、長(zhǎng)飛先進(jìn)融資超38億元，三安光電獲股東增資100億元等。
吳玲介紹，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得顯著進(jìn)步。國(guó)產(chǎn)6寸襯底+外延實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)主流廠商8英寸SiC襯底基本完成送樣，預(yù)期在2025年前后量產(chǎn)；國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET在光、儲(chǔ)、充領(lǐng)域全面開(kāi)始導(dǎo)入，汽車主驅(qū)2024小批量導(dǎo)入；企業(yè)開(kāi)始布局或開(kāi)發(fā)溝槽柵SiC MOSFET，三安集成、中車時(shí)代，積塔、華為、華潤(rùn)微、士蘭微等都規(guī)劃開(kāi)發(fā)溝槽柵SiC MOSFET，多個(gè)企業(yè)已獲得相關(guān)專利。
吳玲同時(shí)提到，當(dāng)前，我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著諸多挑戰(zhàn)，如核心材料和器件的規(guī)?；a(chǎn)能力亟待突破；開(kāi)放的、企業(yè)深度有效參與的研發(fā)中試和驗(yàn)證平臺(tái)能力有待提升；企業(yè)小、散、弱，低水平同質(zhì)競(jìng)爭(zhēng)，產(chǎn)業(yè)集中度低，產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)亟待完善；標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)認(rèn)證、質(zhì)量評(píng)價(jià)體系、各層次人才隊(duì)伍相比產(chǎn)業(yè)發(fā)展滯后，亟需加強(qiáng)等。
